Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。
新控制器通過以這種方式驅(qū)動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-3mV，加上±2mV的緊密容差，可在輕載的情況下改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性及提高效率。
此外，這款控制器可灌入5A的電流，確保并聯(lián)OR'ing MOSFET能夠盡快放電，并且做到600ns的快速關(guān)斷時間，以防止反向電流及在共軌系統(tǒng)上的電壓降。在典型的12V配置內(nèi)，器件的靜態(tài)電流設定為400μA以下，待機功耗則少于5mW。
新控制器通過以這種方式驅(qū)動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-3mV，加上±2mV的緊密容差，可在輕載的情況下改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性及提高效率。
此外，這款控制器可灌入5A的電流，確保并聯(lián)OR'ing MOSFET能夠盡快放電，并且做到600ns的快速關(guān)斷時間，以防止反向電流及在共軌系統(tǒng)上的電壓降。在典型的12V配置內(nèi)，器件的靜態(tài)電流設定為400μA以下，待機功耗則少于5mW。
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